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場效檢測

場效檢測簡介

發(fā)布時間:2024-03-12 08:33:13

更新時間:2024-11-19 06:26:31

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發(fā)布來源:其他檢測中心

第三方場效檢測機構(gòu)北京中科光析科學技術(shù)研究所科研分析檢測中心可進行場效應晶體管、場效應管、場效應放大器、場效應電流源、場效應開關(guān)、場效應邏輯門、場效應觸發(fā)器、場效應二極管、場效應傳感器、場效應阻容連接器、場效應電路、場效應放大電路、場效應調(diào)制器、場效應模塊、場效應開關(guān)電源、場效應功率放大器、場效應光電場板、場效應發(fā)射極管、場效應感應器、場效應芯片等等場效檢測,作為綜合性研究所,旗下實驗室擁有CMA檢測資質(zhì),檢測設備齊全,數(shù)據(jù)科學可靠,7-15個工作日便可出具場效檢測報告。
場效檢測內(nèi)容

檢測項目(部分)

  • 漏電電流:測量產(chǎn)品內(nèi)部的漏電電流,用于評估產(chǎn)品的安全性。
  • 工作電流:測量產(chǎn)品的工作電流,用于評估產(chǎn)品的性能和效率。
  • 靜態(tài)電流:測量產(chǎn)品在靜止狀態(tài)下的電流,用于評估產(chǎn)品的功耗。
  • 輸入電壓范圍:測量產(chǎn)品能夠正常工作的輸入電壓范圍。
  • 輸出電壓范圍:測量產(chǎn)品輸出的電壓范圍。
  • 溫度范圍:測量產(chǎn)品能夠正常工作的溫度范圍。
  • 工作頻率:測量產(chǎn)品的工作頻率,用于評估產(chǎn)品的適用范圍。
  • 開關(guān)時間:測量產(chǎn)品開關(guān)的時間,用于評估產(chǎn)品的響應速度。
  • 電壓穩(wěn)定性:測量產(chǎn)品輸出電壓的穩(wěn)定性,用于評估產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
  • 電流穩(wěn)定性:測量產(chǎn)品輸出電流的穩(wěn)定性,用于評估產(chǎn)品的穩(wěn)定性。
  • 輸出功率:測量產(chǎn)品的輸出功率,用于評估產(chǎn)品的性能。
  • 輸入電流:測量產(chǎn)品的輸入電流,用于評估產(chǎn)品的功耗。
  • 開關(guān)損耗:測量產(chǎn)品開關(guān)過程中的能量損耗。
  • 頻率響應:測量產(chǎn)品對不同頻率的響應能力。
  • 電源噪聲:測量產(chǎn)品輸出電源的噪聲水平。
  • 輸入電壓波動:測量產(chǎn)品輸入電壓的波動情況。
  • 輸出電壓波動:測量產(chǎn)品輸出電壓的波動情況。
  • 溫度變化對性能的影響:測量溫度變化對產(chǎn)品性能的影響。
  • 尺寸:測量產(chǎn)品的尺寸,用于評估產(chǎn)品的適用場景。
  • 重量:測量產(chǎn)品的重量,用于評估產(chǎn)品的便攜性。

檢測樣品(部分)

  • 場效應晶體管
  • 場效應管
  • 場效應放大器
  • 場效應電流源
  • 場效應開關(guān)
  • 場效應邏輯門
  • 場效應觸發(fā)器
  • 場效應二極管
  • 場效應傳感器
  • 場效應阻容連接器
  • 場效應電路
  • 場效應放大電路
  • 場效應調(diào)制器
  • 場效應模塊
  • 場效應開關(guān)電源
  • 場效應功率放大器
  • 場效應光電場板
  • 場效應發(fā)射極管
  • 場效應感應器
  • 場效應芯片

檢測儀器(部分)

  • 數(shù)字萬用表
  • 示波器
  • 信號發(fā)生器
  • 頻譜分析儀
  • 電源供應器
  • 多功能測試儀
  • 熱像儀
  • 電阻表
  • 電容表
  • 功率計

檢測方法(部分)

  • 直流電壓測量:使用數(shù)字萬用表等儀器測量產(chǎn)品的直流電壓。
  • 交流電壓測量:使用示波器等儀器測量產(chǎn)品的交流電壓。
  • 電流測量:使用電流表等儀器測量產(chǎn)品的電流。
  • 電阻測量:使用電阻表等儀器測量產(chǎn)品的電阻。
  • 頻率測量:使用頻譜分析儀等儀器測量產(chǎn)品的頻率。
  • 功率測量:使用功率計等儀器測量產(chǎn)品的功率。
  • 溫度測量:使用熱像儀等儀器測量產(chǎn)品的溫度。
  • 電容測量:使用電容表等儀器測量產(chǎn)品的電容。
  • 開關(guān)時間測量:使用示波器等儀器測量產(chǎn)品的開關(guān)時間。
  • 信號分析:使用示波器等儀器對產(chǎn)品的信號進行分析。

檢測標準(部分)

《 T/CASAS 015-2022 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗方法 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)功率循環(huán)試驗方法
  • 標準號:T/CASAS 015-2022
    中國標準分類號:/C397
  • 發(fā)布日期:2022-07-18
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2022-07-18
    團體名稱:北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 標準分類:電子器件制造半導體器分立件綜合
  • 內(nèi)容簡介:

    本文件規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)功率循環(huán)試驗方法,包括:試驗裝置、試驗程序以及失效判據(jù)

    本文件適用于不帶反向并聯(lián)肖特基二極管的SiCMOSFET分立器件的功率循環(huán)試驗

    碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)具有阻斷電壓高、工作頻率高、耐高溫能力強、通態(tài)電阻低和開關(guān)損耗小等特點,廣泛應用于高頻、高壓功率系統(tǒng)中。隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,越來越多的領(lǐng)域如航天、航空、石油勘探、核能、通信等,迫切需要能夠在髙溫、高頻等極端環(huán)境下工作的電子器件。SiCMOSFET的功率循環(huán)試驗是使器件重復承受通電升溫和關(guān)斷降溫循環(huán),以加速器件芯片與安裝表面之間所有的鍵合和界面退化。器件能否能承受規(guī)定應力條件下的功率循環(huán)次數(shù)是評估器件實際應用可靠性的重要手段。由于SiO2與SiC界面缺陷的俘獲和釋放機制,傳統(tǒng)的SiMOSFET的功率循環(huán)試驗方法會由于SiCMOSFET器件的閾值電壓V_GS(th)漂移導致結(jié)溫等監(jiān)測參數(shù)出現(xiàn)偏差,從而影響功率循環(huán)試驗的準確性,本文件給出了適用于SiCMOSFET器件的功率循環(huán)試驗方法。

《 T/CASAS 016-2022 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SiC MOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法
  • 標準號:T/CASAS 016-2022
    中國標準分類號:/C397
  • 發(fā)布日期:2022-07-18
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2022-07-18
    團體名稱:北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 標準分類:電子器件制造半導體器分立件綜合
  • 內(nèi)容簡介:

    本文件規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)結(jié)殼熱阻瞬態(tài)雙界面測試方法

    本文件僅適用于SiCMOSFET分立器件以源極和漏極之間的電壓V_sd作為測試溫敏參數(shù)的結(jié)殼熱阻測試

    碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(SiCMOSFET)因具有禁帶寬度寬、臨界擊穿電場強、耐高溫性能好等優(yōu)點,逐漸在雷達探測、醫(yī)療通訊、交通運輸以及新能源等領(lǐng)域廣泛應用。結(jié)殼熱阻作為表征熱量在導熱路徑傳輸能力的重要參數(shù),是直接反映器件熱性能的關(guān)鍵技術(shù)指標之一,可以為器件的熱設計與優(yōu)化改進提供參考。因而,準確的熱阻測試對于SiCMOSFET的鑒定、評價及其應用具有重要意義。

《 SJ/T 9014.8.2-2018 半導體器件 分立器件第8-2部分:超結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規(guī)范 》標準簡介

  • 標準名稱:半導體器件 分立器件第8-2部分:超結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規(guī)范
  • 標準號:SJ/T 9014.8.2-2018
    中國標準分類號:L44
  • 發(fā)布日期:2018-04-30
    國際標準分類號:31.080.30
  • 實施日期:2018-07-01
    技術(shù)歸口:工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院
  • 代替標準:
    主管部門:工業(yè)和信息化部
  • 標準分類:信息傳輸軟件和信息技術(shù)服務業(yè)電子學半導體分立器件電子三極管
  • 內(nèi)容簡介:

    行業(yè)標準《半導體器件 分立器件第8-2部分:超結(jié)金屬氧化物半導體場效應晶體管空白詳細規(guī)范》由工業(yè)和信息化部電子工業(yè)標準化研究院歸口上報,主管部門為工業(yè)和信息化部。

《 JJG (電子) 04049-1995 國洋雙柵場效應晶體管cx測試儀試行檢定規(guī)程 》標準簡介

  • 標準名稱:國洋雙柵場效應晶體管cx測試儀試行檢定規(guī)程
  • 標準號:JJG (電子) 04049-1995
    標準狀態(tài):現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期:1995
    歸口單位
  • 實施日期:1995
    發(fā)布部門:國家市場監(jiān)督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規(guī)程
  • 文件格式:紙質(zhì)版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內(nèi)容簡介:

    本規(guī)程適用于國洋雙柵場效應應晶體管CX測試儀的檢定。

《 JJG (電子) 04046-1995 qc-13型場效應管跨導參數(shù)測試儀試行檢定規(guī)程 》標準簡介

  • 標準名稱:qc-13型場效應管跨導參數(shù)測試儀試行檢定規(guī)程
  • 標準號:JJG (電子) 04046-1995
    標準狀態(tài):現(xiàn)行
  • 發(fā)布日期:1995
    歸口單位
  • 實施日期:1995
    發(fā)布部門:國家市場監(jiān)督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規(guī)程
  • 文件格式:紙質(zhì)版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內(nèi)容簡介:

    本規(guī)程適用于QC-13型場效應晶體管跨導參數(shù)測試儀的檢定。

《 JJG (電子) 04006-1987 bj2913型場效應管參數(shù)測試儀(試行) 》標準簡介

  • 標準名稱:bj2913型場效應管參數(shù)測試儀(試行)
  • 標準號:JJG (電子) 04006-1987
    標準狀態(tài):已作廢
  • 發(fā)布日期:1988-01-05
    歸口單位
  • 實施日期:1988-01-05
    發(fā)布部門:國家市場監(jiān)督管理總局
  • 代替標準:
    標準類別:計量檢定規(guī)程
  • 文件格式:紙質(zhì)版或者PDF電子版(用Acrobat Reader打開)或Word版本doc格式
  • 內(nèi)容簡介:

《 SL 555-2012 小型水電站現(xiàn)場效率試驗規(guī)程 》標準簡介

  • 標準名稱:小型水電站現(xiàn)場效率試驗規(guī)程
  • 標準號:SL 555-2012
    中國標準分類號:P59
  • 發(fā)布日期:2012-04-05
    國際標準分類號:
  • 實施日期:2012-07-05
    技術(shù)歸口:水利部農(nóng)村水電及電氣化發(fā)展局
  • 代替標準:
    主管部門:水利部
  • 標準分類:水利
  • 內(nèi)容簡介:

    行業(yè)標準《小型水電站現(xiàn)場效率試驗規(guī)程》由水利部農(nóng)村水電及電氣化發(fā)展局歸口上報,主管部門為水利部。

《 GB/T 15450-1995 硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規(guī)范 》標準簡介

  • 標準名稱:硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規(guī)范
  • 標準號:GB/T 15450-1995
    中國標準分類號:L44
  • 發(fā)布日期:1995-01-05
    國際標準分類號:31.080.99
  • 實施日期:1995-08-01
    技術(shù)歸口:全國半導體器件標準化技術(shù)委員會
  • 代替標準:
    主管部門:工業(yè)和信息化部(電子)
  • 標準分類:電子學半導體分立器件其他半導體分立器件
  • 內(nèi)容簡介:

    國家標準《硅雙柵場效應晶體管 空白詳細規(guī)范》由TC78(全國半導體器件標準化技術(shù)委員會)歸口上報及執(zhí)行,主管部門為工業(yè)和信息化部(電子)。

《 T/CASAS 007-2020 電動汽車用碳化硅(SiC)場效應晶體管(MOSFET)模塊評測規(guī)范 》標準簡介

  • 標準名稱:電動汽車用碳化硅(SiC)場效應晶體管(MOSFET)模塊評測規(guī)范
  • 標準號:T/CASAS 007-2020
    中國標準分類號:/C3670
  • 發(fā)布日期:2020-05-25
    國際標準分類號:31.080.01
  • 實施日期:2020-05-25
    團體名稱:北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 標準分類:汽車零部件及配件制造半導體器分立件綜合
  • 內(nèi)容簡介:

    隨著電動汽車行業(yè)的迅猛發(fā)展,對驅(qū)動系統(tǒng)的小型化和輕量化提出了更高的要求?;赟iC的解決方案使電動汽車驅(qū)動系統(tǒng)效率更高、重量更輕及結(jié)構(gòu)更加緊湊,近幾年已經(jīng)逐漸在電動汽車行業(yè)得到應用。然而,目前國內(nèi)外尚無針對SiC功率模塊的規(guī)范和標準,缺少電動汽車行業(yè)SiCMOSFET模塊的統(tǒng)一指導性文件,影響了SiCMOSFET模塊在電動汽車行業(yè)的通用化。本規(guī)范針對電動汽車用的SiCMOSFET模塊,從性能參數(shù)、評測程序等方面對SiCMOSFET模塊進行了規(guī)范,可以用于電動汽車行業(yè)對SiCMOSFET模塊的初步評價。

《 T/CASAS 006-2020 碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術(shù)規(guī)范 》標準簡介

  • 標準名稱:碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管通用技術(shù)規(guī)范
  • 標準號:T/CASAS 006-2020
    中國標準分類號:/C397
  • 發(fā)布日期:2020-12-28
    國際標準分類號:29.045
  • 實施日期:2021-01-01
    團體名稱:北京第三代半導體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟
  • 標準分類:電子器件制造
  • 內(nèi)容簡介:

    本文件規(guī)定了碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管(以下簡稱“晶體管”)的術(shù)語、符號、基本額定值和特性、檢驗要求、測量與試驗方法本文件充分借鑒了IEC60747-8-4DiscreteSemiconductordevices-Part8-4:Metal-oxide-semiconductorfield-effect-transistorsforpowerswitchingapplications的內(nèi)容,并結(jié)合了近幾年科研人員在SiCMOSFET功率器件的研發(fā)、測試評估以及應用方面的經(jīng)驗總結(jié),對SiCMOSFET的動靜態(tài)參數(shù)、可靠性考核測試方法等進行了詳細的規(guī)定,但局限于當前科研人員對SiCMOSFET器件的認知,以及該產(chǎn)品生產(chǎn)與應用所處的發(fā)展階段,可能還存在一些不足的地方,后續(xù)將根據(jù)研究進展不斷進行完善和升級。

《 SJ 20789-2000 MOS場效應晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗方法 》標準簡介

  • 標準名稱:MOS場效應晶體管熱敏參數(shù)快速篩選試驗方法
  • 標準號:SJ 20789-2000
    中國標準分類號:L5961
  • 發(fā)布日期:2000-10-20
    國際標準分類號:
  • 實施日期:2000-10-20
    技術(shù)歸口:中國電子技術(shù)標準化研究所
  • 代替標準:
    主管部門:信息產(chǎn)業(yè)部
  • 標準分類:
  • 內(nèi)容簡介:

    本規(guī)范規(guī)定了MOS場效應晶體管熱敏參數(shù)快速篩選的試驗方法。本規(guī)范適用于MOS場效應晶體管(以下簡稱電阻器)熱敏參數(shù)快速篩選。

《 SJ 2748-1987 微波低噪聲單柵場效應晶體管空白詳細規(guī)范 》標準簡介

  • 標準名稱:微波低噪聲單柵場效應晶體管空白詳細規(guī)范
  • 標準號:SJ 2748-1987
    中國標準分類號:F01
  • 發(fā)布日期:1987-02-10
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1987-10-01
    技術(shù)歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:電子工業(yè)部
  • 標準分類:能源技術(shù)管理核技術(shù)核技術(shù)綜合
  • 內(nèi)容簡介:

    本空白詳細規(guī)范規(guī)定了制訂微波低噪聲單柵場效應品體管詳細規(guī)范的基本原則,制訂該范圍內(nèi)的所有詳細規(guī)范應與本空白詳細規(guī)范一致。

《 SJ 2092-1982 CS35型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS35型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管
  • 標準號:SJ 2092-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發(fā)布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術(shù)歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術(shù)管理核技術(shù)核技術(shù)綜合
  • 內(nèi)容簡介:

《 SJ 2093-1982 CS36型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS36型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管
  • 標準號:SJ 2093-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發(fā)布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術(shù)歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術(shù)管理核技術(shù)核技術(shù)綜合
  • 內(nèi)容簡介:

《 SJ 2094-1982 CS37型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管 》標準簡介

  • 標準名稱:CS37型N溝道結(jié)型場效應小功率半導體開關(guān)三極管
  • 標準號:SJ 2094-1982
    中國標準分類號:F01
  • 發(fā)布日期:1982-05-15
    國際標準分類號:
  • 實施日期:1982-12-01
    技術(shù)歸口:
  • 代替標準:
    主管部門:
  • 標準分類:能源技術(shù)管理核技術(shù)核技術(shù)綜合
  • 內(nèi)容簡介:

暫無更多檢測標準,請聯(lián)系在線工程師。

場效檢測

檢測資質(zhì)(部分)

榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽 榮譽

檢測實驗室(部分)

檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室

檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室 檢測實驗室

合作客戶(部分)

客戶 客戶 客戶 客戶 客戶

檢測報告作用

1、可以幫助生產(chǎn)商識別產(chǎn)品的潛在問題或缺陷,并及時改進生產(chǎn)工藝,保障產(chǎn)品的品質(zhì)和安全性。

2、可以為生產(chǎn)商提供科學的數(shù)據(jù),證明其產(chǎn)品符合國際、國家和地區(qū)相關(guān)標準和規(guī)定,從而增強產(chǎn)品的市場競爭力。

3、可以評估產(chǎn)品的質(zhì)量和安全性,確保產(chǎn)品能夠達到預期效果,同時減少潛在的健康和安全風險。

4、可以幫助生產(chǎn)商構(gòu)建品牌形象,提高品牌信譽度,并促進產(chǎn)品的銷售和市場推廣。

5、可以確定性能和特性以及元素,例如力學性能、化學性質(zhì)、物理性能、熱學性能等,從而為產(chǎn)品設計、制造和使用提供參考。

6、可以評估產(chǎn)品是否含有有毒有害成分,以及是否符合環(huán)保要求,從而保障產(chǎn)品的安全性。

7、可以為政府監(jiān)管部門提供獨立的數(shù)據(jù)和意見,支持政府制定有效的政策和措施,確保公眾的健康和安全。

檢測流程

1、中析研究所接受客戶委托,為客戶提供檢測服務

2、客戶可選擇寄送樣品或由我們的工程師進行采樣,以確保樣品的準確性和可靠性。

3、我們的工程師會對樣品進行初步評估,并提供報價,以便客戶了解檢測成本。

4、雙方將就檢測項目進行詳細溝通,并簽署保密協(xié)議,以保證客戶信息的保密性。在此基礎上,我們將進行測試試驗.

5、在檢測過程中,我們將與客戶進行密切溝通,以便隨時調(diào)整測試方案,確保測試進度。

6、試驗測試通常在7-15個工作日內(nèi)完成,具體時間根據(jù)樣品的類型和數(shù)量而定。

7、出具檢測樣品報告,以便客戶了解測試結(jié)果和檢測數(shù)據(jù),為客戶提供有力的支持和幫助。

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